Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
квантовые ямы

Add to Quick Collection   All 16 Results

Showing items 1 - 15 of 16.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Афанасова, Марина Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, кот ... More
Add   Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
Authors: Брудный, Павел Александрович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 184-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Релятивистские поправки в теории наноструктур
Authors: Караваев, Геннадий Федорович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 4. С. 92-98
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1317-1321
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P
Authors: Скакунов, Максим Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 44-47
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 30-32
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1–xCdхTe heterostructures
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Yatskiy, Alexey V.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 269-270
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Authors: Караваев, Геннадий Федорович | Чернышов, Виктор Николаевич | Разжувалов, Александр Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 7. С. 34-40
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Authors: Караваев, Геннадий Федорович | Чернышов, Виктор Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 10. С. 92-99
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Физика полупроводниковых наноструктур : учебно-методический комплекс
Authors: Борисенко, Сергей Иванович | Вячистая, Юлия Валерьевна
Type: учебные издания
Date: 2011
Description: Загл. с экрана

Creator

Date

Subject

Resource Type

^