Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 8 Results

Showing items 1 - 8 of 8.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers
Authors: Deeb, Hazem | Khomyakova, Kristina I. | Kokhanenko, Andrey P. | Douhan, Rahaf M. H. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Inorganics. 2023. Vol. 11, № 7. P. 303 (1-15)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: In this article, the performance and design considerations of the planar structure of germanium on silicon avalanche photodiodes are presented. The dependences of the breakdown voltage, gain, andwidth ... More
Add   Межподзонные электрон-электронные взаимодействия в двумерном электронном газе
Authors: Дюбуа, Александр Борисович | Кучерявый, Сергей Иванович | Сафошкин, Алексей Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 4. С. 163-169
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Представлены результаты исследований электрон-электронных релаксационных процессов в системе сильновырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического спектра и пространственного распределен ... More
Add   Conductivity of Ga2O3-GaAs heterojunctions
Authors: Kalygina, V. M. | Remizova, I. L. | Tolbanov, Oleg P.
Source: Semiconductors. 2018. Vol. 52, № 2. P. 143-149
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The effect of annealing in argon at temperatures of Tan = 700–900°C on the I–V characteristics of metal–Ga2O3–GaAs structures is investigated. Samples are prepared by the thermal deposition of Ga2O3 p ... More
Add   Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs
Authors: Ремизова, Ирина Леонидовна | Калыгина, Вера Михайловна | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об ... More
Add   Получение диодных гетероструктур p-Si/n-ZnO и исследование их вольтамперных характеристик
Authors: Алексанян, А. Ю. | Геворкян, Владимир Арамович | Казарян, Мишик Айразатович
Source: Альтернативная энергетика и экология. 2013. № 6, ч. 2 (128). С. 23-27
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
Authors: Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Емельянов, Евгений Александрович | Паханов, Николай Андреевич | Преображенский, Валерий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 26-33
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования ге ... More
Add   Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
Type: сборники
Date: 2006
Add   Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
Authors: Лаврентьева, Людмила Германовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 17-23
Type: статьи в журналах
Date: 2005
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^