Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 56 Results

Showing items 1 - 15 of 56.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес ... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от ... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Source: Nanotechnology. 2018. Vol. 29, № 5. P. 054002 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper theoretical modeling of formation and growth of germanium–silicon quantum dots in the method of molecular beam epitaxy (MBE) on different surfaces is carried out. Silicon substrates with ... More
Source: Surface science. 2018. Vol. 669. P. 45-49
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Nowadays using of tin as one of the deposited materials in GeSi/Sn/Si, GeSn/Si and GeSiSn/Si material systems is one of the most topical problems. These materials are very promising for various applic ... More
Source: Материалы 55-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2017, 17-20 апреля 2017 г. Квантовая физика. Новосибирск, 2017. С. 30-30
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г.. Томск, 2017. С. 46-50
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 218-219
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Source: The Journal of Physical Chemistry A. 2016. Vol. 120, № 45. P. 8983-8997
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Nine-dimensional potential energy surface (PES) and dipole moment surface (DMS) of the germane molecule are constructed using extended ab initio CCSD(T) calculations at 19 882 points. PES analytical r ... More

Date

^