Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 26 Results

Showing items 1 - 15 of 26.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста
Authors: Горшков, Дмитрий Витальевич | Закиров, Евгений Рашитович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Сабинина, Ирина Викторовна | Гутаковский, Антон Константинович | Вдовин, Владимир Ильич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 6. С. 111-119
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80–160 °C. Для каждой температур ... More
Add   Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures
Authors: Kalygina, Vera M. | Kiselyeva, O. S. | Kushnarev, Bogdan O. | Oleinik, Vladimir L. | Petrova, Julianna S. | Tsymbalov, Alexander V.
Source: Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707-711
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: The electrical and photovoltaic characteristics of the Ga2O3/n-GaAs structures have been studied. A gallium oxide film was obtained by HF magnetron sputtering on n-GaAs epitaxial layers with concentra ... More
Add   Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
Authors: Калыгина, Вера Михайловна | Киселева, Ольга Сергеевна | Кушнарев, Богдан Олегович | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цымбалов, Александр Вячеславович
Source: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 ... More
Add   Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Add   Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 11. P. 116411 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The admittance of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates was studied. The measurements were performed in the temperature range of 10–310 K at the ... More
Add   Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и ... More
Add   Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
Authors: Бессонов, Дмитрий Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.. Томск, 2018. С. 213-215
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
Authors: Брудный, Павел Александрович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.. Томск, 2018. С. 184-186
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведено численное моделирование низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе n-Hg0,70Cd0,30Te с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержани ... More
Add   Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат ... More
Add   Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без тако ... More
Add   Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2017. Vol. 102. P. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Admittance of MIS structures based on MBE n-Hg1-xCdxTe (x=0.22–0.23) with Al2O3 as insulator is experimentally investigated for the cases of the presence and absence of near-surface graded-gap layers ... More
Add   Контакты металл-полупроводник: физика и модели
Authors: Божков, Владимир Григорьевич
Type: монографии
Date: 2016
Add   Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисов. Красноярск, 2016. С. 285-288
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^