Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2019

Add to Quick Collection   All 2 Results

Showing items 1 - 2 of 2.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More
Add   Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC
Authors: Санкин, Александр Викторович | Антонов, Владимир Феохарович | Филипова, Светлана Валерьевна | Митюгова, Ольга Александровна | Алтухов, Виктор Иванович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 113-116
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Получены значения высот барьеров Шоттки в системах М/ n -(SiC)1- x (AlN) x в предположении высокой плотности поверхностных состояний в области контакта металл (М) и твердый раствор SiC-AlN. Рассчитаны ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^