Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением температуры обусловлен возбуждением электронов с локального уровня Еt, расположенного на 0.95 эВ ниже дна зоны проводимости.