Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 88 Results

Showing items 16 - 30 of 88.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Определение влияния времени жизни носителей заряда арсенида галлия на эффективность непрерывной и импульсной генерации и детектирования излучения терагерцового диапазона частот
Authors: Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна | Редькин, Руслан Александрович | Кобцев, Даниил Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 148-153
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Разработана конструкция и изготовлены лабораторные образцы фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs:Сr и LT-GaAs для генерации и детектирования терагерцового излучения. Экспериментально иссле ... More
Add   Исследование влияния процессов получения на свойства пленок Ga2O3
Authors: Таллер, Елена Викторовна | Щербаков, Петр Сергеевич
Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.. Томск, 2018. С. 223-226
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными ... More
Add   Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers
Authors: Budnitsky, D. | Lozinskaya, A. D. | Kolesnikova, I. | Zarubin, A. N. | Shemeryankina, A. | Mikhailov, T. | Skakunov, M. S. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Novikov, Vladimir A.
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2017. Vol. 12, № 1. P. C01063 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Producing of large area matrix detectors based on semiconductor materials with high atomic number suitable for the registration of the synchrotron radiation of high intensity in the photon energy rang ... More
Add   Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers
Authors: Chsherbakov, I. | Lozinskaya, A. D. | Mihaylov, T. | Novikov, Vladimir A. | Shemeryankina, A. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Zarubin, A. N. | Kolesnikova, I.
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2017. Vol. 12, № 2. P. C02016 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Previous works onchromium compensated gallium arsenide (GaAs:Cr) have shown high efficiency, good spatial and energy resolution, which is obviously connected with the high quality of material itself. ... More
Add   Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 391-393
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 254-256
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 38-39
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 259-261
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 40-43
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Vasilev, Vladimir V. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Nesmelov, Sergey N.
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More
Add   Background donor concentration in HgCdTe
Authors: Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, A. G. | Fitsych, Olena I. | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A. | Mynbaev, Karim D.
Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto ... More
Add   Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts
Authors: Lozinskaya, A. D. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Yaskevich, T. M. | Zarubin, A. N. | Novikov, Vladimir A.
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01020 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The investigation of the pulse height distribution and X-ray sensitivity depending on the contact material on high resistive chromium compensated gallium arsenide (HR GaAs:Cr) sensors is presented. So ... More
Add   Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation
Authors: Hamann, E. | Zuber, M. | Cecilia, A. | Tyazhev, Anton V. | Tolbanov, Oleg P. | Procz, S. | Fauler, A. | Fiederle, M. | Baumbach, T. | Koenig, T.
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01047 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: High resistivity, chromium compensated gallium arsenide (HR-GaAs:Cr) has recently shown to be a promising sensor material for X-ray detectors due to its high resistivity, its fully active volume, the ... More
Add   Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip
Authors: Butler, A. | Bell, Steven J. | Chelkov, G. A. | Dedovich, D. V. | Demichev, M. A. | Elkin, V. G. | Gostkin, M. I. | Kotov, S. A. | Kozhevnikov, D. A. | Kruchonak, U. G. | Butler, P. | Nozdrin, A. A. | Porokhovoy, S. Yu. | Potrap, I. N. | Smolyanskiy, P. I. | Zakhvatkin, M. M. | Zhemchugov, A. S.
Source: Physics of particles and nuclei letters. 2015. Vol. 12, № 1. P. 59-73
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: This paper describes an iterative method of per-pixel energy calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip. A convolution of precisely measured spectra of characte ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^