Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015

Add to Quick Collection   All 17 Results

Showing items 1 - 15 of 17.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More
Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto ... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01020 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The investigation of the pulse height distribution and X-ray sensitivity depending on the contact material on high resistive chromium compensated gallium arsenide (HR GaAs:Cr) sensors is presented. So ... More
Source: Journal of instrumentation : electronic journal. 2015. Vol. 10, № 1. P. C01047 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: High resistivity, chromium compensated gallium arsenide (HR-GaAs:Cr) has recently shown to be a promising sensor material for X-ray detectors due to its high resistivity, its fully active volume, the ... More
Source: Physics of particles and nuclei letters. 2015. Vol. 12, № 1. P. 59-73
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: This paper describes an iterative method of per-pixel energy calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip. A convolution of precisely measured spectra of characte ... More
Source: IEEE transactions on medical imaging. 2015. Vol. 34, № 3. P. 707-715
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: High resistivity gallium arsenide is considered a suitable sensor material for spectroscopic X-ray imaging detectors. These sensors typically have thicknesses between a few hundred μm and 1 mm to ensu ... More
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 3. P. 345-351
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We investigate the effect of thermal annealing in argon and of oxygen plasma processing on the photoelectric properties of GaAs-Ga2O3-Me structures. Gallium-oxide films are fabricated by photostimulat ... More
Source: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), 3-6, November 2015, Kyoto University, Kyoto, Japan. Kyoto, 2015. P. 100-101
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2015. Vol. 77. P. 012002 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Theoretical study of the F, Cl, Br, I adsorption on GaAs(001) surface is presented. The most stable configurations of halogens on Ga-rich ζ-(4×2) reconstruction are determined with increasing of adato ... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 12. P. 1627-1633
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of transient characteristics of microwave-pin-diodes based on gallium arsenide are presented. It is shown that in these diodes, a transient process occurs in two stages resultin ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 111
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 58-59
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 51-54
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 136-138
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведено моделирование распределения напряженности поля единичных образцов арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик, полученных эксперим ... More
^