Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
арсенид галлия

Add to Quick Collection   All 88 Results

Showing items 1 - 15 of 88.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Курасова, Анна Сергеевна | Гущин, Сергей Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл ... More
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени ... More
Add   Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Новиков, Владимир Александрович | Тяжев, Антон Владимирович | Толбанов, Олег Петрович | Шемерянкина, Анастасия Владимировна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 173-174
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 154-155
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Физические основы работы лавинного S-диода
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Фотопроводящие дипольные антенны терагерцового диапазона на основе высокоомных арсенид галлиевых структур
Authors: Кобцев, Даниил Александрович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 282-283
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs
Authors: Khludkov, Stanislav S. | Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Ivonin, Ivan V.
Source: Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350-2356
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: A study of the formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with various impurities (elemen ... More
Add   Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Type: монографии
Date: 2022
Description: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо ... More
Add   Исследование распределения напряженности поля в структурах арсенида галлия, легированного хромом, в зависимости от степени легирования
Authors: Васильева, Людмила Александровна
Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 13-15
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Add   Characterization of chromium compensated gaas sensors with the charge-integrating JUNGFRAU readout chip by means of a highly collimated pencil beam
Authors: Greiffenberg, Dominic | Andrä, Marie | Barten, Rebecca | Bergamaschi, Anna | Brückner, Martin | Busca, Paolo | Chiriotti, Sabina | Chsherbakov, Ivan | Dinapoli, Roberto | Fajardo, Pablo | Fröjdh, Erik | Hasanaj, Shqipe | Kozlowski, Pawel | López-Cuenca, Carlos | Lozinskaya, Anastassiya D. | Meyer, Markus | Mezza, Davide | Mozzanica, Aldo | Redford, Sophie | Ruat, Marie | Ruder, Christian | Schmitt, Bernd | Thattil, Dhanya | Tinti, Gemma | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Vetter, Seraphin | Zarubin, Andrei N. | Zhang, Jiaguo
Source: Sensors. 2021. Vol. 21, № 4. P. 1550 (1-22)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Chromium compensated GaAs or GaAs:Cr sensors provided by the Tomsk State University (Russia) were characterized using the low noise, charge integrating readout chip JUNGFRAU with a pixel pitch of 75 × ... More
Add   Effect of gallium arsenide charge carrier life time on the generation and detection efficiency of continuous and pulsed terahertz radiation
Authors: Kobtsev, Daniil A. | Tyazhev, Anton V. | Kolesnikova, Irina I. | Redkin, Ruslan A.
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 1997-2003
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: A configuration and test samples of photoconductive dipole antennas based on SI-GaAs:Cr and LT-GaAs for generation and detection of terahertz radiation are developed. Their operating characteristics i ... More
Add   Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
Authors: Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорны ... More
Add   Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп ... More
Add   Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии
Authors: Кобцев, Даниил Александрович | Редькин, Руслан Александрович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^