Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Тяжев, Антон Владимирович

Add to Quick Collection   All 12 Results

Showing items 1 - 12 of 12.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Новиков, Владимир Александрович | Тяжев, Антон Владимирович | Толбанов, Олег Петрович | Шемерянкина, Анастасия Владимировна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 173-174
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 154-155
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии
Authors: Кобцев, Даниил Александрович | Редькин, Руслан Александрович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16-21
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Проведено исследование временной динамики релаксации неравновесной концентрации носителей заряда в полупроводниковых кристаллах SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии. Про ... More
Add   Определение влияния времени жизни носителей заряда арсенида галлия на эффективность непрерывной и импульсной генерации и детектирования излучения терагерцового диапазона частот
Authors: Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна | Редькин, Руслан Александрович | Кобцев, Даниил Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 148-153
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Разработана конструкция и изготовлены лабораторные образцы фотопроводящих дипольных антенн на основе SI-GaAs:Сr и LT-GaAs для генерации и детектирования терагерцового излучения. Экспериментально иссле ... More
Add   Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 254-256
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 111
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом
Authors: Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 136-138
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведено моделирование распределения напряженности поля единичных образцов арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик, полученных эксперим ... More
Add   Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
Authors: Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах
Authors: Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Вишникина, Вера Валерьевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия
Authors: Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 71-74
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr
Authors: Гермогенов, Валерий Петрович | Пономарев, Иван Викторович | Тяжев, Антон Владимирович | Вилисова, Мария Дмитриевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 84-86
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур
Authors: Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 123-126
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^