Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.

Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1871-1879

Type: статьи в журналах

Date: 2018

Description: A comparative analysis is carried out of the growth peculiarities under molecular-beam epitaxy of germanium quantum dots on the silicon surfaces with different crystallographic orientations Si(100) an ... More

Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич

Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260

Type: статьи в сборниках

Date: 2017

Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More