Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 73 Results

Showing items 1 - 15 of 73.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Physica scripta. 2023. Vol. 98, № 6. P. 065907
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: This work is devoted to a comprehensive experimental study of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe (MCT). S ... More
Add   Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures
Authors: Kalygina, Vera M. | Kiselyeva, O. S. | Kushnarev, Bogdan O. | Oleinik, Vladimir L. | Petrova, Julianna S. | Tsymbalov, Alexander V.
Source: Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707-711
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: The electrical and photovoltaic characteristics of the Ga2O3/n-GaAs structures have been studied. A gallium oxide film was obtained by HF magnetron sputtering on n-GaAs epitaxial layers with concentra ... More
Add   Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Add   Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
Authors: Калыгина, Вера Михайловна | Киселева, Ольга Сергеевна | Кушнарев, Богдан Олегович | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цымбалов, Александр Вячеславович
Source: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 ... More
Add   Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 μm spectral range
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V.
Source: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 9. P. 629-632
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The admittance of test MIS structures based on nBn systems from Hg1 – xCdxTe grown by molecular beam epitaxy is investigated. Composition x in the absorbing and contact layers is 0.29; in the barrier ... More
Add   Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Kopylova, Tatyana N. | Degtyarenko, Konstantin M.
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 7. P. 1281-1288
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Experimental studies of the admittance of MIS structures based on pentacene with a two-layer insulator SiO2–Al2O3 and back contacts made of various materials (Au, Al, In, and Ag) have been carried out ... More
Add   Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье ... More
Add   Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Marin, Denis V.
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s ... More
Add   Investigation of the differential resistance of MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kulchitskii, N. A. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 3. P. 337-339
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The admittance of MIS structures based on n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) grown by molecular-beam epitaxy on Si and GaAs substrates is studied. The possibility of increasing the value of the product o ... More
Add   The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Marin, Denis V.
Source: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189-192
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Add   Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More
Add   Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures
Authors: Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Sidorov, Georgiy Yu. | Yakushev, Maxim V. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Add   Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Izhnin, Igor I. | Mynbaev, Karim D. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Korotaev, A. G. | Sidorov, Georgiy Yu.
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 392. P. 125760 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on HgCdTe were fabricated after various stages of pn
Add   Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells
Authors: Syvorotka, I. I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Izhnin, Igor I.
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Hg1−xCdxTe grown by molecular beam epitaxy including HgTe single quantum well (SQW) with thickness of 6.5 nm were

Creator

Date

Subject

^