Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 133 Results

Showing items 1 - 15 of 133.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Радиационные эффекты в HgCdTe
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Add   Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Кукенов, Олжас Игоревич | Соколов, Арсений Сергеевич | Акименко, Наталья Юрьевна | Хомякова, Кристина Игоревна | Диб, Хазем | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80-90
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Открытие и экспериментальное получение графена привлекло значительное внимание к изучению других новых одноэлементных двумерных материалов (трансграфенов) групп IIIA–VIA периодической системы. В данно ... More
Add   Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Кукенов, Олжас Игоревич | Соколов, Арсений Сергеевич | Акименко, Наталья Юрьевна | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41-50
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Рассмотрены двумерные аллотропные модификации одиночных элементов III группы: борофена (B), алюминена (Al), галленена (Ga), индиена (In) и таллена (Tl). Акцент сделан на их структурные параметры и тех ... More
Add   Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS
Authors: Романов, Илья Владимирович | Дегтяренко, Константин Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Коханенко, Андрей Павлович | Никонова, Елена Николаевна | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 116-123
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162-169
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости ... More
Add   Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа ... More
Add   Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое ис ... More
Add   Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3
Authors: Зятиков, Илья Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Тельминов, Евгений Николаевич | Дегтяренко, Константин Михайлович | Медведев, Михаил Дмитриевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More
Add   Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит ... More
Add   Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Илья Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49
Type: статьи в журналах
Date: 2013

Creator

Date

Subject

^