Add to Quick Collection
All 228 Results
Showing items 1 - 15 of 228.
Add All Items to Quick Collection
Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 395-397
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80-90
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Открытие и экспериментальное получение графена привлекло значительное внимание к изучению других новых одноэлементных двумерных материалов (трансграфенов) групп IIIA–VIA периодической системы. В данно
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41-50
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Рассмотрены двумерные аллотропные модификации одиночных элементов III группы: борофена (B), алюминена (Al), галленена (Ga), индиена (In) и таллена (Tl). Акцент сделан на их структурные параметры и тех
... More
Authors:
Сыворотка, Игорь Игоревич |
Swiatek, Zbigniew |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Ремесник, Владимир Григорьевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Ижнин, Игорь Иванович
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 239-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа
... More
Source: Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Authors:
Ижнин, Игорь Иванович |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Якушев, Максим Витальевич |
Бончик, Александр Юрьевич |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Фицич, Елена Ивановна |
Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106-121
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
В работе, состоящей из двух частей, представлено детальное рассмотрение предложенного авторами метода дискретного анализа спектра подвижности и его применения для исследования параметров носителей зар
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К.
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014