Add to Quick Collection
All 6 Results
Showing items 1 - 6 of 6.
Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 3. P. 345-351
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
We investigate the effect of thermal annealing in argon and of oxygen plasma processing on the photoelectric properties of GaAs-Ga2O3-Me structures. Gallium-oxide films are fabricated by photostimulat
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 8. С. 1137-1143
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 153-155
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 5. С. 598-603
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 123-126
Type: статьи в журналах
Date: 2012