Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
теллурид кадмия ртути

Add to Quick Collection   All 60 Results

Showing items 1 - 15 of 60.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
Authors: Izhnin, I. I. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Fitsych, E. I.
Source: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015. Lviv, 2015. P. 364
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Vasilev, Vladimir V. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Nesmelov, Sergey N.
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More
Add   Background donor concentration in HgCdTe
Authors: Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, A. G. | Fitsych, Olena I. | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A. | Mynbaev, Karim D.
Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto ... More
Add   Changes in the electro-physical propertyies of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalache beam in atmospheric-pressure air
Authors: Grigoryev, Denis V. | Lozovoy, Kirill A. | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts. Tomsk, 2015. P. 209
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe
Authors: Gorn, Dmitriy Igorevich | Dzyadukh, Stanislav M. | Nesmelov, Sergey N. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 164-173
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 739-740
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films
Authors: Grigoryev, Denis V. | Bezrodnyy, Dmitriy A. | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A. | Novikov, Vadim A.
Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts. Tomsk, 2015. P. 210
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 135
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
Authors: Мынбаев, Карим Джафарович | Баженов, Николай Леонидович | Ижнин, Александр Иванович | Ижнин, Игорь Иванович | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Шиляев, Артур Владимирович
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 379-384
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, в ... More
Add   Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Новиков, Вадим Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 141-143
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований влияния объемного наносекундного разряда на электронные свойства приповерхностной области эпитаксиальных пленок КРТ. Обнаружено, что распределение поверхностного п ... More
Add   Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 39
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Фицич, Елена Ивановна | Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Фицич, Елена Ивановна | Бончик, Александр Юрьевич | Савицкий, Григорий Владимирович | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Войцеховский, Александр Васильевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г.. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270
Type: статьи в журналах
Date: 2015

Creator

Date

Subject

Resource Type

^