Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
термический отжиг

Add to Quick Collection   All 4 Results

Showing items 1 - 4 of 4.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Effect of thermal annealing on electrical characteristics of Ga2Oy-GaAs structures
Authors: Kalygina, V. M. | Remizova, I. L. | Tolbanov, Oleg P. | Prudaev, Ilya A.
Source: The international workshop on UV materials and devices, July 27-31, 2016, Beijing, China. [S. l.], 2016. P. 88-89
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Photoelectrical characteristics of TiO2-N-Si heterostructures
Authors: Kalygina, V. M. | Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Egorova, I. S. | Atuchin, Victor V.
Source: XV Международная молодежная конференция по люминесценции и лазерной физике, село Аршан, Республика Бурятия, Россия, 18-24 июля 2016 г. : тезисы лекций и докладов. Иркутск, 2016. С. 7
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Deep centers in TiO2-Si structures
Authors: Kalygina, V. M. | Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Tsupiy, S. Yu. | Petrova, Yu. S.
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 8. P. 1012-1018
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The effects of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the electrical and photoelectric properties of metal-TiO2-Si structures are investigated. The TiO2 films are fabricated by the rf magn ... More
Add   Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures
Authors: Valiev, K. I. | Zarubin, A. N. | Petrova, Yu. S. | Tolbanov, Oleg P. | Tyazhev, Anton V. | Yaskevich, T. M. | Kalygina, V. M.
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 8. P. 1003-1007
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^