Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)
Authors: Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 68-72
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 1. С. 49-54
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке
Authors: Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Емельянов, Евгений Александрович | Паханов, Николай Андреевич | Преображенский, Валерий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 26-33
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования ге ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^