Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015

Add to Quick Collection   All 16 Results

Showing items 1 - 15 of 16.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины ... More
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Add   Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3
Authors: Зятиков, Илья Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Тельминов, Евгений Николаевич | Дегтяренко, Константин Михайлович | Медведев, Михаил Дмитриевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Подготовка к разноуровневой профессиональной деятельности выпускников радиофизического факультета на основе лабораторного комплекса по ВОЛС
Authors: Маслова, Юлия Валентиновна | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 197-199
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В статье авторами предлагается решение проблемы профессиональной подготовки выпускников - бакалавров, магистров и специалистов в контексте современных образовательных стандартов и требований работодат ... More
Add   Применение компетентностного и модульного подходов при организации лабораторного практикума для студентов разного уровня обучения
Authors: Маслова, Юлия Валентиновна | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2015. № 394. С. 220-224
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик
Authors: Барко, Алексей Владимирович | Левашкин, Андрей Геньевич | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]. Новосибирск, 2015. Т. 1. С. 201-205
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn
Authors: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Никифоров, Александр Иванович | Машанов, Владимир Иванович | Туктамышев, Артур Раисович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало ... More
Add   Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Source: Х Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 238-242
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
Authors: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич | Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 147-149
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей п ... More
Add   Формирование шероховатости на поверхности нитрида галлия
Authors: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич | Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович | Коханенко, Андрей Павлович
Source: ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетень. Омск, 2015. С. 193-194
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Creator

Subject

Resource Type

^