Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
2012
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
544 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
Creator
Пономарев, Иван Викторович
Creator
Романов, Иван Сергеевич
Creator
Копьев, Виктор Васильевич
Creator
Прудаев, Илья Анатольевич
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Subject
фотолюминесценция
нитрид галлия
светодиоды
гетероструктуры
Date
2012
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000448596
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448596
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Language
rus
1214 Visitors
891 Hits
336 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
^ DIV >