Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 23 Results

Showing items 1 - 15 of 23.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 154-158
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галли ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 275-276
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 237-239
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 259-263
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO ... More
Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.. Томск, 2018. С. 235-238
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением темп ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменн ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 143-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследовано влияние термического отжига в аргоне на фотоэлектрические характеристики структур TiO2- n -Si. Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный кре ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 139-142
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследованы структуры Ni/V-TiO2- n- Si-V/Ni с пленкой TiO2, полученной методом ВЧ-магнетронного распыления мишени, изготовленной из оксида титана. Установлено, что используемая технология изготовления ... More

Date

^