Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | вольт-фарадные характеристики | теллурид кадмия ртути

Add to Quick Collection   All 7 Results

Showing items 1 - 7 of 7.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре ... More
Add   Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More
Add   Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 150-151
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 136-137
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^