Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2010 | "Студент-аспирант", школа молодого ученого

Add to Quick Collection   All 197 Results

Showing items 91 - 105 of 197.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Вестник Томского государственного университета. Математика и механика. 2010. № 3. С. 5-12
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 7. С. 73-77
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Проведено численное моделирование влияния процессов перезарядки на угловые распределения квазиизотропных пучков многозарядных ионов после прохождения ориентированных кристаллов и дана интерпретация об ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 3/2. С. 171-175
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Данная работа посвящена исследованию вириальных коэффициентов жидкости Ленарда-Джонса в тонких двумерных пленках. Рассматривается модельная двумерная система сферических частиц, взаимодействие которых ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 1. С. 76-81
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Cформулирована и исследована математическая модель роста покрытия при магнетронном напылении. Исследовано влияние основных технологических и кинетических параметров на динамику роста покрытия.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 12. С. 63-66
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Приведены результаты экспериментальных исследований воздействия объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин (ОРИПЭЛ), на поверхность медных образцов. Объемный (диффузный) разряд в азоте и ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 3/2. С. 154-157
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Проведено компьютерное моделирование пластической деформации наноламината Cu/Nb методами молекулярной динамики. Результаты исследований могут быть использованы как теоретическая основа для интерпретац ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 26-33
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования ге ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 12. С. 67-76
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Проведено электронно-микроскопическое исследование особенностей микроструктуры нанополос переориентации, формирующихся в никеле и сплаве V–4Ti–4Cr при интенсивной пластической деформации на наковальня ... More
^