Представлены результаты исследований спектров показателя преломления n (n) и коэффициента экстинкции k (n) в ТГц-диапазоне у монокристаллов ZnGeP2 с разной степенью технологической проработки - после выращивания методом Бриджмена в вертикальном варианте, после термообработки при температурах выше дебаевской для наиболее высокочастотных фононов и после модификации свойств путем облучения быстрыми электронами (~ 4 МэВ).