В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности и стабильности электрических характеристик диодов, выяснения механизмов деградации электрических параметров. Интерес к этим исследованиям не ослабевает до настоящего времени, о чем свидетельствует большое число публикаций. Однако большинство экспериментальных и теоретических работ ведется в узком секторе физических явлений. Отсутствие комплексных исследований не позволяет воспринимать картину происходящих физических процессов в структурах с барьером Шоттки в целом, особенно при различных внешних воздействиях. В работе на основе полученных оригинальных результатов определены пути повышения стабильности электрических характеристик структур, а также установлена возможность их использования в качестве чувствительных элементов датчиков различных неэлектрических величин (температуры, давления). Для широкого круга специалистов – научных сотрудников и инженеров, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики полупроводниковых структур.