Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.