Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN | 190 KB | Adobe Acrobat PDF | View Details | Download |
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя | 10.21883/FTP.2017.02.44112.8251 |