Представлены результаты анализа падения квантовой эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при режимах фото- и электролюминесценции. Показано, что падение эффективности при комнатной температуре хорошо описывается ABC-моделью для обоих режимов накачки. При низких температурах для объяснения падения эффективности при режиме электролюминесценции необходимо дополнительно учитывать баллистическую утечку электронов из активной области.