Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок Si, Ge, GeSi, выращенных методом МЛЭ: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 12.03.03 - Фотоника и оптоинформатика
Радиофизический факультет
Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок Si, Ge, GeSi, выращенных методом МЛЭ: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 12.03.03 - Фотоника и оптоинформатика