Работа посвящена исследованию фотоионизации акцепторных центров в алмазе под действием ультракоротких электромагнитных импульсов (УКИ) в пределе теории возмущений. Расчет проводится для УКИ гауссовой формы с управляемыми фазовыми параметрами на основе аналитического выражения для полной вероятности фотоионизации за все время действия импульса. Исследованы зависимости вероятности фотоионизации от характеристик УКИ: длительности импульса, фазы несущей частоты по отношению к огибающей и чирпа частоты. Показано, что с помощью изменения параметров УКИ можно манипулировать функцией распределения носителей заряда в валентной зоне алмаза.