Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 27 Results

Showing items 1 - 15 of 27.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 142-147
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проанализированы фазовые диаграммы и результаты исследований свойств твердых растворов полупроводниковых соединений GaN, AlN, InN, полученных с использованием магнетронного напыления, МЛЭ- и МОСГФЭ-те ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga)N. Экспериментально исследованы мет ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 50-53
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 1. С. 46-49
Type: статьи в журналах
Date: 2014

Date

^