- Брудный В. Н. Разбавленные магнитные полупроводники на основе кристаллической матрицы GaSe с внедренными атомами хрома: полуметаллические электронные свойства и локализованные магнитные моменты / Брудный В. Н. , Саркисов С. Ю. , 2025.
- Брудный В. Н. Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT / Брудный В. Н. , Брудный П. А. , Великовский Л. Э. , Афонин А. Г. , 2019.
- Брудный В. Н. Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN / Брудный В. Н. , Вилисова М. Д. , Великовский Л. Э. , 2018.
- Романов И. С. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C / Романов И. С. , Прудаев И. А. , Брудный В. Н. , 2018.
- Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N / Вилисова М. Д. [и др.]. , 2018.
- Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки / Прудаев И. А. [и др.]. , 2016.
- Брудный В. Н. BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование . , 2016.
- Прудаев И. А. Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока / Прудаев И. А. , Романов И. С. , Брудный В. Н. , Копьев В. В. , 2015.
- Брудный В. Н. Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела . , 2015.
- Саркисов С. Ю. Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe / Саркисов С. Ю. , Брудный В. Н. , Журавлев Ю. Н. , Кособуцкий А. В. , 2015.
- Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики / Романов И. С. [и др.]. , 2015.
- Брудный В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe / Брудный В. Н. , Саркисов С. Ю. , Кособуцкий А. В. , 2015.
- Брудный В. Н. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете / Брудный В. Н. , Ивонин И. В. , Толбанов О. П. , Войцеховский А. В. , 2014.
- Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках / Романов И. С. [и др.]. , 2014.
- Титов К. С. Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 / Титов К. С. , Брудный В. Н. , 2014.
- Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P / Олейник В. Л. [и др.]. , 2014.
- Брудный В. Н. Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN . , 2014.
- Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами / Бойко В. М. [и др.]. , 2014.
- Кособуцкий А. В. Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облучения / Кособуцкий А. В. , Брудный В. Н. , Каргин Н. Я. , Саркисов С. Ю. , 2013.
- Саркисов С. Ю. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe / Саркисов С. Ю. , Брудный В. Н. , Вавилин Е. В. , Кособуцкий А. В. , 2013.
- Брудный В. Н. Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность . , 2013.
- Брудный В. Н. Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов . , 2013.
- Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs / Горлачук П. В. [и др.]. , 2013.
- Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN / Веревкин С. С. [и др.]. , 2012.
- Брудный В. Н. Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения / Брудный В. Н. , Кособуцкий А. В. , 2012.
- Веревкин С. С. Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 / Веревкин С. С. , Колин Н. Г. , Корулин А. В. , Брудный В. Н. , 2012.
- Брудный В. Н. Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge / Брудный В. Н. , Гриняев С. Н. , 2010.
- Брудный В. Н. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V / Брудный В. Н. , Гриняев С. Н. , Колин Н. Г. , 2007.
- Брудный В. Н. Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами Н / Брудный В. Н. , Ведерникова Т. В. , 2007.
- Брудный В. Н. Радиационные эффекты в полупроводниках . , 2005.
- Брудный В. Н. Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. / Брудный В. Н. , Кривов М. А. - Томск : [б. и.], 1972.
^
